RDD050N20TL

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RDD050N20TL

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

Número de pieza：

RDD050N20TL

Fabricante：

ROHM Semiconductor

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

RoHS：

YES

：

RDD050N20TL

RDD050N20TL Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 1mA

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

200 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

5A (Ta)

Disipación de energía (máx.)：

20W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

9.3 nC @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

CPT3

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

720mOhm @ 2.5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

292 pF @ 10 V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1620

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

2500

0.79

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3850

12500

0.74

9250

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