RSQ035N03TR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Número de pieza：
RSQ035N03TR
Modelo alternativo：
ZXMN3A03E6TA , LT8612IUDE#PBF , SI3474DV-T1-GE3 , IRLMS1503TRPBF , 0432550137 , FDC8601 , KSZ9021GN , MMZ1608R301ATA00 , 0826-1G1T-23-F , V23026D1021B201 *X020 , 182-009-213R531 , SN7407DR , 182-009-113R531 , 015401.5DR , 5747845-4
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
RoHS：
YES
RSQ035N03TR Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4V, 10V
Disipación de energía (máx.)：
1.25W (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.5A (Ta)
Vgs (máx.)：
20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
290 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TSMT6 (SC-95)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
62mOhm @ 3.5A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 5 V
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Número de envases estándar：3679
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