ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Número de pieza：
ZXMN3F30FHTA
Modelo alternativo：
CDBW140-G , 2N7002-7-F , SIA413DJ-T1-GE3 , LM3478MA/NOPB , DMN2004TK-7 , PDZVTFTR2.0B , 74LVC1G07SE-7 , SI2306BDS-T1-GE3 , SI2304BDS-T1-GE3 , CSD17304Q3 , NL27WZ04DTT1G , LM22676MRE-ADJ/NOPB , DMP3098L-7 , PTH08080WAD , DDZ4V7ASF-7
Fabricante：
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
RoHS：
YES
ZXMN3F30FHTA Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
7.7 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.8A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
950mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
47mOhm @ 3.2A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
318 pF @ 15 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：30208
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.17
510
6000
0.15
900
9000
0.14
1260
30000
0.14
4200
75000
0.14
10500
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