IRFS4227PBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Número de pieza：
IRFS4227PBF
Modelo alternativo：
IRFS4227TRLPBF , IRFS4227TRLPBF , IRFB4227PBF , CSD19532Q5B , TCMT1107 , STB36N60M6 , FDB2614 , FDB28N30TM , PSMN057-200B , 118 , MMBTA06LT1G , AMC1350QDWVRQ1 , BSC320N20NS3GATMA1 , B3100-13-F , NCV1117DT50RKG , BC856A , 215 , MC78M12BDTRKG
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
RoHS：
YES
IRFS4227PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
62A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
26mOhm @ 46A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
330W (Tc)
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