IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Número de pieza：
IRFB4227PBF
Modelo alternativo：
1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , IRFB4127PBF , IXTP86N20T , IRFB4227PBFXKMA1 , IPP200N15N3GXKSA1 , IRFB4020PBF , IRFP4227PBF , IRS20957STRPBF , BC846BPDW1T1G , C3D08060A , IRFB4115PBF , MMBT2222ALT1G , ATMEGA328P-AU , IR2156STRPBF , UCC2893PWR , IRF5210PBF
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
RoHS：
YES
IRFB4227PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220AB
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
65A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
330W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 46A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：6669
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
3.58
3.58
50
2.84
142
100
2.43
243
500
2.16
1080
1000
1.85
1850
2000
1.74
3480
5000
1.67
8350
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