SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Número de pieza：
SI7812DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI7812DN-T1-E3 , BLM31KN121SN1L , MMBT3906SL , SMDJ30CA , SI7153DN-T1-GE3 , SI2387DS-T1-GE3 , PI3424-00-LGIZ , SISA14DN-T1-GE3 , VLMO1500-GS08 , MQPI-18LP-01 , LTM8024IY#PBF , SQJ401EP-T2_GE3 , IPG20N10S4L22ATMA1 , SIS782DN-T1-GE3 , 0448004.MR
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7812DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
75 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
24 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
37mOhm @ 7.2A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
840 pF @ 35 V
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Número de envases estándar：52392
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