SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Número de pieza：
SI2301CDS-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI2302CDS-T1-GE3 , SP0503BAHTG , SI2302CDS-T1-E3 , IRLML6244TRPBF , 1N4148W-TP , SI2302CDS-T1-BE3 , BZT52H-C6V2 , 115 , SI2302DDS-T1-BE3 , BLM18EG221SN1D , GG0402050R3C2P , SML-D12U1WT86 , 742792693 , LL4148 , 10118192-0001LF , BAS70-04 , 215
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
RoHS：
YES
SI2301CDS-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3 (TO-236)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
10 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
405 pF @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：190692
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.11
330
6000
0.11
660
9000
0.1
900
30000
0.1
3000
75000
0.09
6750
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