SI7738DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7738DP-T1-GE3
Modelo alternativo：
VOM617A-4T , SIR632DP-T1-RE3 , 3BC-3-CA-F , BSC360N15NS3GATMA1 , SI7852DP-T1-GE3 , SIR696DP-T1-GE3 , JANTX1N4942 , DLW21HN900SQ2L , LT3748EMS#PBF , SRV05-4HTG-D , WP710A10QBC/D , MMBT3904 , 215
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7738DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
53 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2100 pF @ 75 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
38mOhm @ 7.7A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5914
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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4710
6000
1.51
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