SI7905DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212
Número de pieza：
SI7905DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
CSD17313Q2 , DMN3730UFB4-7 , QH8JB5TCR , BSS84-7-F , 1N4148WSF-7 , MBR0530-TP , B540C-13-F , BAT42WS-G3-08 , BLM21PG300SN1D , 742792012 , MH1608-800Y , SP1003-01DTG , T520D337M006ATE015 , 1N5819HW-7-F , LI0805H151R-10
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212
RoHS：
YES
SI7905DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40V
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30nC @ 10V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
880pF @ 20V
Potencia - Máx.：
20.8W
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