SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA432DJ-T1-GE3
Modelo alternativo：
EPCQ16ASI8N , SN65LVDS3487D , SML-020MLTT86 , SI7818DN-T1-GE3 , SIA462DJ-T1-GE3 , MPM3805GQB-Z , 1N4148WT-7 , DAC8411IDCKT , MMZ1608S800ATA00 , FDM3622 , AD602ARZ , SIA400EDJ-T1-GE3 , SIA468DJ-T1-GE3 , IS181GB , ADG1401BRMZ
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA432DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 6A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
800 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4810
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.48
1440
6000
0.46
2760
9000
0.44
3960
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