IXTA10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Número de pieza：
IXTA10P50P
Modelo alternativo：
IXTA10P50P-TRL , IXTA10P50P-TRL , SMAZ15-TP , IXTH10P50P , ATSAME70N21A-AN , ADL9005ACPZN , STM32L476MGY6TR , 640456-3 , DMP65H20D0HSS-13 , IXTA64N10L2 , EEH-ZA1H101P , LT3041ADE#PBF , MIC803-29D4VM3-TR , IXTA26P20P , FZT855TA , BSC900N20NS3GATMA1
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
RoHS：
YES
IXTA10P50P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2840 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
7.28
7.28
50
5.82
291
100
5.2
520
500
4.59
2295
1000
4.14
4140
2000
3.87
7740
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