IXTP18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Número de pieza：
IXTP18P10T
Modelo alternativo：
IXTP44N10T , IRFD220PBF , IRF9540NPBF , TC4452VAT , FQP17P10 , IXTP32P05T , TC74HC14APF , IRF9530NPBF , ISO721MMDREP , IXTP76P10T , 1120 , IXTP52P10P , IXTP36P15P , IRF5210PBF , IXTP28P065T
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
RoHS：
YES
IXTP18P10T Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
39 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220-3
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2100 pF @ 25 V
Vgs (máx.)：
±15V
Disipación de energía (máx.)：
83W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 9A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4083
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
2.93
2.93
50
2.35
117.5
100
1.94
194
500
1.64
820
1000
1.39
1390
2000
1.32
2640
5000
1.27
6350
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