FDP22N50N

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FDP22N50N

MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3

Número de pieza：

FDP22N50N

Modelo alternativo：

FDP18N50

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3

RoHS：

YES

：

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FDP22N50N Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Vgs (máx.)：

±30V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

22A (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

65 nC @ 10 V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

3200 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

220mOhm @ 11A, 10V

Disipación de energía (máx.)：

312.5W (Tc)

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1823

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.05

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50

3.21

160.5

100

2.75

275

500

2.44

1220

1000

2.09

2090

2000

1.97

3940

5000

1.89

9450

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