IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Número de pieza：
IPD053N08N3GBTMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
RoHS：
NO
IPD053N08N3GBTMA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Disipación de energía (máx.)：
150W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
80 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
90A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
69 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO252-3
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 90µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.3mOhm @ 90A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4750 pF @ 40 V
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