IPD30N03S2L20ATMA1

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IPD30N03S2L20ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

Número de pieza：

IPD30N03S2L20ATMA1

Modelo alternativo：

IPD135N03LGATMA1 , IPD30N03S4L14ATMA1 , IRLR8259TRPBF , ZXMN3A04KTC , IPD70N03S4L04ATMA1 , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

RoHS：

YES

：

IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Disipación de energía (máx.)：

60W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

30A (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

19 nC @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PG-TO252-3-11

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

530 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2V @ 23µA

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Número de envases estándar：6635

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