IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Número de pieza：
IPD70N10S312ATMA1
Modelo alternativo：
IRFR4510TRPBF , IRFR540ZTRPBF , SIS892DN-T1-GE3 , LM5109BMAX/NOPB , DMP10H400SK3-13 , SSM3K339R , LF , CMMSH1-100G TR PBFREE , SIR882DP-T1-GE3 , LM5106MMX/NOPB , IPD70N10S3L12ATMA1 , NCV7351D10R2G , BSC070N10NS3GATMA1 , 68691-406HLF , PREC013DAAN-RC , EL3H7(B)(TA)-VG , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
RoHS：
YES
IPD70N10S312ATMA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Disipación de energía (máx.)：
125W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
65 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
70A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 83µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4355 pF @ 25 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO252-3-11
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
11.1mOhm @ 70A, 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：12678
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
1.19
2975
5000
1.14
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