IPP100N06S205AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Número de pieza：
IPP100N06S205AKSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
RoHS：
YES
IPP100N06S205AKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO220-3-1
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
170 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5mOhm @ 80A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5110 pF @ 25 V
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Número de envases estándar：1600
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