IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Número de pieza：
IPW50R299CPFKSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
RoHS：
NO
IPW50R299CPFKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)：
104W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO247-3-1
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
550 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 440µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1190 pF @ 100 V
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