IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Número de pieza：
IXTY1R6N100D2
Modelo alternativo：
IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY01N100 , STY145N65M5 , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N100D2HV , RCU-0C , TPSMB530CA-A , STD2N105K5 , IXTA3N100D2 , RN102-0.3-02-12M , IXTA08N100D2 , ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR , IXTP1R6N100D2 , TPSMB440CA-A , IXTY01N100D-TRL
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
RoHS：
YES
IXTY1R6N100D2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1000 V
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252AA
Disipación de energía (máx.)：
100W (Tc)
Función FET：
Depletion Mode
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1.6A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
645 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
10Ohm @ 800mA, 0V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
3.89
3.89
70
3.08
215.6
140
2.64
369.6
560
2.35
1316
1050
2.01
2110.5
2030
1.89
3836.7
5040
1.82
9172.8
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