IXTH6N50D2
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Número de pieza：
IXTH6N50D2
Modelo alternativo：
M80-4661005 , IXTP6N100D2 , TXLN 500-148 , V48C8C100BL , V48C5C100BL , IXTH16N20D2 , IXTH16N50D2 , IXTH16N10D2 , IXTH6N100D2 , PVG612ASPBF , IXTP6N50D2 , IXTP3N50D2 , TES 1-1211 , PVG5A502C03R00
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
RoHS：
YES
IXTH6N50D2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247 (IXTH)
Función FET：
Depletion Mode
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2800 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
500mOhm @ 3A, 0V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
96 nC @ 5 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1895
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
11.9
11.9
30
9.5
285
120
8.5
1020
510
7.5
3825
1020
6.75
6885
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