IXFN56N90P
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Número de pieza：
IXFN56N90P
Modelo alternativo：
DSEI2X101-12A , IXFN82N60P , IXFN44N100P , IXFN70N100X , IXFN150N65X2 , IXFN110N85X , IXFN32N120P , IXFN66N85X , IXFN62N80Q3 , APT53F80J , IXGN100N170 , APTDR90X1601G , STE53NC50 , IXFN132N50P3 , LAX 100-NP
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
RoHS：
YES
IXFN56N90P Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Paquete / Estuche：
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-227B
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
900 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
56A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
23000 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
1000W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
375 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
6.5V @ 3mA
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
Cantidad
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Precios internacionales
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589.3
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