CSD17310Q5A
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Número de pieza：
CSD17310Q5A
Modelo alternativo：
CSD17510Q5A , TP65H150BG4JSG-TR , CSD86330Q3D , TPS51916RUKT , CSD17575Q3 , CSD17577Q5AT , W949D2DBJX5I , CSD16340Q3 , CSD18514Q5AT , LM5176PWPR , CSD18504Q5A , TPS79333DBVRQ1 , LT6105HDCB#TRMPBF , TS3A27518ERTWR , XC7K70T-1FBG484C
Fabricante：
Texas Instruments
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
RoHS：
YES
CSD17310Q5A Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.8V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Disipación de energía (máx.)：
3.1W (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
3V, 8V
Vgs (máx.)：
+10V, -8V
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-VSONP (5x6)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
11.6 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
21A (Ta), 100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.1mOhm @ 20A, 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1560 pF @ 15 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：23601
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.42
1050
5000
0.4
2000
12500
0.37
4625
25000
0.37
9250
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