TK8A50D(STA4,Q,M)

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TK8A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

Número de pieza：

TK8A50D(STA4,Q,M)

Modelo alternativo：

TK8A50DA(STA4 , Q , M) , AOTF8N50

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 1mA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

8A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

800 pF @ 25 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

16 nC @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Disipación de energía (máx.)：

40W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

850mOhm @ 4A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1628

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

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1.43

71.5

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113

500

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1000

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780

2000

0.74

1480

5000

0.7

3500

10000

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6700

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