IRF9333PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Número de pieza：
IRF9333PBF
Modelo alternativo：
IRF9333TRPBF , SIS412DN-T1-GE3 , RSCSK2243R3D02008U , DF63SF-3P-3.96TV(52) , DLW44SM101SK2L , FTSH-107-01-L-DV-K-P-TR , CUS10S40 , H3F , DCR021205P-U , LT1511CSW#PBF , SN74AHCT1G125DBVR
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
RoHS：
YES
IRF9333PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Disipación de energía (máx.)：
2.5W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.4V @ 25µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1110 pF @ 25 V
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