IRF6645
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Número de pieza:
IRF6645
Modelo alternativo:
IRF6645TRPBF  ,  BUK9637-100E  ,  118  ,  IRF6644TRPBF
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
RoHS:
NO
IRF6645 Especificaciones
Tipo de montaje:
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.):
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
890 pF @ 25 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
4.9V @ 50µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 5.7A, 10V
Disipación de energía (máx.):
3W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor:
DIRECTFET™ SJ
Paquete / Estuche:
DirectFET™ Isometric SJ
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
Cantidad
Precio unitario
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