IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Número de pieza：
IRFS4229TRLPBF
Modelo alternativo：
IRFS4229PBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , RCJ510N25TL , ADE7858AACPZ-RL , HCPL-4701-500E , IRFS4410ZTRLPBF , LM555CN/NOPB , APV1121SX , LTC4366HTS8-2#TRMPBF , SUM45N25-58-E3 , SQM10250E_GE3 , FDB2710 , STD25NF20 , FDP2710 , TPH5200FNH , L1Q , IRF540NSTRLPBF , IPB17N25S3100ATMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
RoHS：
YES
IRFS4229TRLPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
250 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO263-3
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
330W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
45A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4560 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
48mOhm @ 26A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5724
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
3.08
2464
1600
2.64
4224
2400
2.49
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