SI5913DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Número de pieza：
SI5913DC-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5913DC-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.5V @ 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
330 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
1206-8 ChipFET™
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 10V
Función FET：
Schottky Diode (Isolated)
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
84mOhm @ 3.7A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
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