NTTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Número de pieza：
NTTFS5116PLTWG
Modelo alternativo：
NTTFS5116PLTAG , NTTFS5116PLTAG , NVTFS5116PLTAG , NVTFS5116PLTWG , SI7415DN-T1-E3 , DMT6030LFCL-7 , LG L29K-G2J1-24-Z , TC264D40F200WBCKXUMA1 , DMPH6050SFGQ-7 , TVS3301DRBR , TMP1075DR , 5055670571 , 5055680471
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
RoHS：
YES
NTTFS5116PLTWG Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche：
8-PowerWDFN
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 6A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1258 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)：
3.2W (Ta), 40W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：11705
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
5000
0.32
1600
10000
0.3
3000
25000
0.3
7500
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