STL11N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Número de pieza：
STL11N3LLH6
Modelo alternativo：
TCPP01-M12 , ESDA25P35-1U1M , BAT54KFILM , IRFH3702TRPBF , STL40DN3LLH5 , CS07826-16M , MU00658-32.768K , TLS A 100 T3J LFS , LC1258EENP , TSW-102-07-G-S , MCP1755T-5002E/OT , FTSH-107-01-L-DV-K-A , SIT8008BI-22-33E-24.000000 , ST715PU33R , CS11321-25M
Fabricante：
STMicroelectronics
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
RoHS：
YES
STL11N3LLH6 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA (Min)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 4.5 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)：
2W (Ta), 50W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1690 pF @ 24 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3665
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.64
1920
6000
0.61
3660
9000
0.58
5220
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