SI1404BDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Número de pieza：
SI1404BDH-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
RoHS：
YES
SI1404BDH-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-70-6
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)：
±12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.3V @ 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
100 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
2.7 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
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