SI4390DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Número de pieza：
SI4390DY-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
RoHS：
YES
SI4390DY-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Disipación de energía (máx.)：
1.4W (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.5A (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 12.5A, 10V
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