SI4825DDY-T1-GE3

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SI4825DDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

Número de pieza：

SI4825DDY-T1-GE3

Modelo alternativo：

PJ-063AH , SI4435DDY-T1-GE3 , FDS6673BZ

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete de dispositivo del proveedor：

8-SOIC

Paquete / Estuche：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2.5V @ 250µA

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Vgs (máx.)：

±25V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

86 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

14.9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

12.5mOhm @ 10A, 10V

Disipación de energía (máx.)：

2.7W (Ta), 5W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2550 pF @ 15 V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：26096

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25000

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