SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Número de pieza：
SI4840BDY-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI4840BDY-T1-E3 , SQ4470EY-T1_BE3 , IRF7842TRPBF , EXB-2HV473JV , FDS8447 , 0430451213 , US1M-E3/61T , AO4480 , SWS14412D48A-32.768K , 0022232061 , SB3H100-E3/54 , BAT54KFILM , 1N5351BG , FDS2670 , AO4484
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
RoHS：
YES
SI4840BDY-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
19A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2000 pF @ 20 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 12.4A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
2.5W (Ta), 6W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：11314
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.73
1825
5000
0.69
3450
12500
0.66
8250
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