SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Número de pieza：
SI7115DN-T1-E3
Modelo alternativo：
SI7115DN-T1-GE3 , SF-0603F300-2 , SISS5710DN-T1-GE3 , SISS72DN-T1-GE3 , SIR873DP-T1-GE3 , FDMC86262P , EPC2010C , FDMC86261P , SI7315DN-T1-GE3 , ADP3624ARHZ-RL , SIT5156AI-FA-25E0-25.000000 , M2GL010-VFG256I , LD39200PUR , BZT52C9V1-7-F , T2M-110-01-L-D-RA-WT
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7115DN-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1190 pF @ 50 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
52W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
295mOhm @ 4A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：10616
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.99
2970
6000
0.96
5760
9000
0.92
8280
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