SI7370DP-T1-GE3

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SI7370DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Número de pieza：

SI7370DP-T1-GE3

Modelo alternativo：

SI7370DP-T1-E3 , BNX026H01L , ADP1763ACPZ-0.9-R7 , LTC4365IDDB-1#TRMPBF , DS2482S-100+T&R , APT2X101D40J , PTS645SM43SMTR92 LFS

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

11mOhm @ 12A, 10V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PowerPAK® SO-8

Paquete / Estuche：

PowerPAK® SO-8

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

57 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

1.9W (Ta)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

9.6A (Ta)

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