SIE860DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Número de pieza：
SIE860DF-T1-E3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
RoHS：
YES
SIE860DF-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
105 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2.1mOhm @ 21.7A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4500 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)：
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
10-PolarPAK® (M)
Paquete / Estuche：
10-PolarPAK® (M)
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