SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Número de pieza：
SIR422DP-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI7145DP-T1-GE3 , USB3320C-EZK-TR , SIR632DP-T1-RE3 , SP1005-01ETG , MI1206L501R-10 , SIR426DP-T1-GE3 , SQ2318AES-T1_BE3 , SI2304DDS-T1-GE3 , TPD1E10B09DPYR , PC357N4J000F , SBR0560S1-7 , SQJ476EP-T1_GE3 , CYPD3171-24LQXQ , SP3010-04UTG , LT3759EMSE#TRPBF
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIR422DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
40A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
48 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.6mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1785 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)：
5W (Ta), 34.7W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：53096
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.52
1560
6000
0.5
3000
9000
0.47
4230
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