SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Número de pieza：
SIS410DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
SEAF-50-01-L-08-1-RA-GP-TR , ADM1176-2ARMZ-R7 , ETPE330MA9GB , LT3022IDHC#PBF , BSS123 , ECS-TXO-2520-33-160-AN-TR , LTC3855IUJ#PBF , SS110HL-TP , BLM31KN601SZ1L , D5V0P4URL6SO-7 , SRF1280A-100M , MAX6071AAUT12+T , CSD86360Q5D , BSC16DN25NS3GATMA1 , SI7469DP-T1-E3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
RoHS：
YES
SIS410DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1600 pF @ 10 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：10852
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.47
1410
6000
0.45
2700
9000
0.43
3870
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