SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Número de pieza：
SQ4850EY-T1_GE3
Modelo alternativo：
LM74610QDGKTQ1 , BAS19-E3-08 , PESD4USB5B-TTSX , SQ4850EY-T1_BE3 , V18AUMLA2220H , LTC3814EFE-5#PBF , LTC4359HDCB#WTRPBF , PCA9615DPZ , REF2033AIDDCR , GRPB052VWVN-RC , B1100-13-F , DV75C-040.0M , QDZT18R5.6 , SQ4850CEY-T1_GE3 , INA300AIDGSR
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
RoHS：
YES
SQ4850EY-T1_GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación：
AEC-Q101
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1250 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
6.8W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 6A, 5V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：24671
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.61
1525
5000
0.57
2850
12500
0.55
6875
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