SQD40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Número de pieza：
SQD40N10-25_GE3
Modelo alternativo：
63PZS33M8X9 , IRFR540ZTRLPBF , SF-2410FPA500W-2 , IRFR3710ZTRLPBF , TMP75CQDRQ1 , IRF9540STRLPBF , FERD20H100SB-TR , L5150BNTR , LT6016HMS8#PBF , BZT52C12-13-F , BZT52C5V1T-7 , LTC4261IGN#PBF , IRFR3710ZTRPBF , SMDJ75CA , STD47N10F7AG
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
RoHS：
YES
SQD40N10-25_GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
40A (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252AA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
70 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
136W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3380 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5012
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2000
3.28
6560
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