SUD23N06-31-T4-GE3

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SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

Número de pieza：

SUD23N06-31-T4-GE3

Modelo alternativo：

SUD23N06-31-GE3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

RoHS：

YES

：

SUD23N06-31-T4-GE3

SUD23N06-31-T4-GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-252AA

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

17 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

670 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

31mOhm @ 15A, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

21.4A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

5.7W (Ta), 31.25W (Tc)

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