SI4214DDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Número de pieza：
SI4214DDY-T1-E3
Modelo alternativo：
SI4214DDY-T1-GE3 , R5F52315AGFM#30 , NLA9306MU3TCG , TSM4936DCS RLG , TAS2770YFFR , MT53E1G32D2FW-046 WT:B , LSM6DSOTR , NX5P3090UKZ , MMZ1005S241CT000 , PAM2804AAB010 , FPF1204UCX , PCA9555RGER , SIC438BED-T1-GE3 , FXLA0104QFX , LTC1726ES8-5#PBF
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4214DDY-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
660pF @ 15V
Potencia - Máx.：
3.1W
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
22nC @ 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19.5mOhm @ 8A, 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3952
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.39
975
5000
0.36
1800
12500
0.34
4250
25000
0.33
8250
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