BSP603S2LHUMA1
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
BSP603S2LHUMA1Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-261-4, TO-261AA
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Package d'appareil du fournisseur：
PG-SOT223-4
Dissipation de puissance (maximum)：
1.8W (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
5.2A (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 50µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1390 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 2.6A, 10V
