IPB03N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPB03N03LBSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Dissipation de puissance (maximum)：
150W (Tc)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
59 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
7624 pF @ 15 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
2.8mOhm @ 55A, 10V
