IPB77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IPB77N06S3-09Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (maximum)：
107W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
77A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO263-3-2
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
103 nC @ 10 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 55µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5335 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 39A, 10V
