IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S3-07Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
170 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO263-3-2
Dissipation de puissance (maximum)：
135W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 80µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 51A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
7768 pF @ 25 V
