IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S3L-06Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
5V, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Vgs (Max)：
±16V
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO263-3-2
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
196 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
136W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5.6mOhm @ 56A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.2V @ 80µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9417 pF @ 25 V
