IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD05N03LB GSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
90A (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 40µA
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO252-3-11
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
25 nC @ 5 V
Dissipation de puissance (maximum)：
94W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3200 pF @ 15 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 60A, 10V
