IPD230N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD230N06NGBTMA1Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 50µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
30A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
100W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO252-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1100 pF @ 30 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 30A, 10V
