IPI80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPI80N06S3-05Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Colis/Caisse：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO262-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
240 nC @ 10 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 110µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
10760 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximum)：
165W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5.4mOhm @ 63A, 10V
